Ionel Solomon

Ionel Solomon, né le à Bucarest (Roumanie) et décédé le à Boulogne-Billancourt[1], est un physicien français, membre de l'Académie de sciences depuis 1988[2] et membre fondateur en 2000 de l'Académie des technologies, directeur de recherche émérite au CNRS, ancien professeur de l'École polytechnique. Il a été invité dans diverses universités (Liverpool, Harvard, Tokyo).

Biographie

Ionel Solomon est un ancien élève de l'École Polytechnique (promotion 1949) et docteur ès sciences.

Sa carrière scientifique a été consacrée à la physique du solide, avec des travaux dans le domaine de la résonance magnétique et des semi-conducteurs photovoltaïques. En résonance magnétique nucléaire (RMN), ses travaux pionniers ont permis de jeter les bases du mécanisme de l'interaction dipolaire spin-spin, connue sous le nom d'effet Overhauser nucléaire (NOE). Cette formalisation porte aujourd'hui le nom d'« équations de Solomon »[3].

Il a fait une partie de sa carrière au sein d'entreprises privées : directeur scientifique de Solems[4], président du conseil scientifique de Phototronics (en).

Publications (liste sélective)

  • Résonance magnétique nucléaire (1955-1965) : Découverte de la relaxation dans un système de spins couplés. Magnétomètre terrestre. Détection bolométrique de la résonance.
  • Physique des semiconducteurs (1966-1976) : L'effet Hall “extraordinaire”. Pompage optique dans les solides. Découverte du transport dépendant des Spins.
  • Silicium amorphe et photovoltaïque (1977-1987) : transport et optique dans le silicium amorphe. Photopiles solaires. Nouveaux matériaux amorphes[5],[6],[7],[8].
  • Recherche matériaux (depuis 1989) : fibres carbone, fibres SiC et SiCN. Photoluminescence et électroluminescence dans les semiconducteurs et dispositifs[9].

Prix et distinctions

Ionel Solomon était officier de la Légion d'Honneur, chevalier de l'Ordre national du Mérite et des Palmes académiques

Notes et références

  1. Relevé des fichiers de l'Insee
  2. « Ionel SOLOMON - Membre de l'Académie des sciences », sur academie-sciences.fr, (consulté le ).
  3. Relaxation Processes in a System of Two Spins, Phys. Rev. 9: 559 (1955).
  4. Historique de la société Solems : I.Solomon la fonde en 1981
  5. I. Solomon, M.P. Schmidt, H. Tran Quoc. Selective low-power plasma decomposition of silane-methane mixtures for the preparation of methylated amorphous silicon. Phys. Rev. B38, 9895 (1988)
  6. I. Solomon, B. Drevillon, H. Shirai, N. Layadi. Plasma deposition of microcrystalline silicon: the selective etching model., J. Non-crystalline Solids, 164-166, p. 989 (1993).
  7. K. Rerbal, F. Jomard, J.-N. Chazalviel, F. Ozanam, I. Solomon. Visible luminescence of porous amorphous Si(1-x) Cx:H due to selective dissolution of silicon. Appl. Phys. lett. 83, p. 45 (2003)
  8. K. Kerbral, J.N. Chazalviel, F. Ozanam, I. Solomon. Temperature dependence of photoluminescence in amorphous Si1-xCx:H films. Eur. Phys. J. B51, p. 61 (2006)
  9. I. Solomon. "Amorphous Semiconductors", In Topics in Applied Physics, Ed. Springer Verlag, Berlin (1979)
  10. Académie des technologies, « Annuaire Académiciens - Profil de Ionel Solomon », sur academie-technologies.fr (consulté le ).

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