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XDR DRAMXDR DRAM (extreme data rate dynamic random access memory) は、DDR2 SDRAMに対抗するためにRDRAMの後継規格としてRambus、東芝、エルピーダメモリの3社によって発表されたDRAMの規格の一種である。2010年4月7日Rambus主催セミナーでロードマップの大幅変更がなされた[1]。 特徴1クロックで8ビット転送することによってデータ転送速度がベースクロックの8倍となる「ODR(Octal Data Rate)」技術 、低消費電力・ハイパフォーマンスを可能とする0.2Vの小振幅差動信号「DRSL(Differential Rambus Signaling Level) 」技術などを採用し、4.8GHz動作の製品は、9.6GB/sのデータ転送速度を実現し、DDR2-800メモリの 転送速度と比較して約6倍である。[2] スペック
()は2010年4月、ロードマップ変更後の追加された規格 採用例
参照関連項目外部リンク |
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