Вант-Гофф (лунный кратер)
Кратер Вант-Гофф (лат. Van't Hoff) — большой ударный кратер в северном полушарии обратной стороны Луны. Название присвоено в честь голландского химика, первого лауреата Нобелевской премии по химии, Якоба Хендрика Вант-Гоффа (1852—1911) и утверждено Международным астрономическим союзом в 1970 году. Образование кратера относится к донектарскому периоду[1]. Описание кратераБлижайшими соседями кратера являются кратер Стеббинс на северо-западе; кратер Дайсон на востоке и кратер Биркхоф на юго-западе[2]. Селенографические координаты центра кратера 61°45′ с. ш. 132°41′ з. д. / 61,75° с. ш. 132,68° з. д.G, диаметр 107,3 км[3], глубина 2,8 км[4]. Вал кратера значительно разрушен, форма кратера нарушена последующими импактами. Ширина внутреннего склона в западной части необычно велика, возможно этот участок перекрыт породами выброшенными при образовании соседних кратеров. Восточная часть кратера объединена с несколькими меньшими кратерами, образуя значительный выступ. Юго-восточная часть вала перекрыта парой кратеров. К восточной части кратера примыкает долина, имеющая неофициальное название долина Вант-Гоффа. Высота вала над окружающей местностью 1430 м[4], объём кратера составляет приблизительно 8200 км³[4]. Дно чаши кратера сравнительно ровное, отмечено множеством кратеров различного размера, в юго-восточной части чаши имеется понижение местности ориентированное к центру кратера. Сателлитные кратеры
См. также
Примечания
Ссылки |