عملية 600 نانومتر

هذه المقالة بحاجة لصندوق معلومات. فضلًا ساعد في تحسين هذه المقالة بإضافة صندوق معلومات مخصص إليها.

تصنيع عناصر أشباه الموصلات
مقاييس الموسفت (قائمة المقاييس [الإنجليزية]‏) 10 ميكرومتر – 1971 6 ميكرومتر [الإنجليزية] - 1974 3 ميكرومتر – 1977 1.5 ميكرومتر – 1981 1 ميكرومتر – 1984 800 نانومتر – 1987 600 نانومتر – 1990 350 نانومتر – 1993 250 نانومتر – 1996 180 نانومتر [الإنجليزية] - 1999 130 نانومتر [الإنجليزية] - 2001 90 نانومتر [الإنجليزية] - 2003 65 نانومتر [الإنجليزية] - 2005 45 نانومتر [الإنجليزية] - 2007 32 نانومتر [الإنجليزية] - 2009 22 نانومتر [الإنجليزية] - 2012 14 نانومتر [الإنجليزية] - 2014 10 نانومتر [الإنجليزية] - 2016 7 نانومتر [الإنجليزية] - 2018 مستقبلية 5 نانومتر - 2020 3 نانومتر [الإنجليزية] - ~2021
عدد الترانزستورات [الإنجليزية]‏ سيموس العناصر (متعدد البوابات) قانون مور أشباه الموصلات إلكترونيات نانوية
بوابة إلكترونيات

عملية 600 نانومتر

عملية عملية 600 نانومتر (بالإنجليزية: 800 nm process )‏ عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العامين 1994–1995 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل وآي‌ بي‌ إم.^[1]

• وقد صنعت وحدة المعالجة المركزية إنتل 80486DX4 والتي أطلقت في عام 1994 باستخدام هذه العملية.
• ووحدات المعالجة المركزية انتل بنتيوم 75 ميغاهيرتز، 90 ميغاهيرتز و 100 ميغاهيرتز مصنعة أيضا باستخدام هذه العملية.

هذه بذرة مقالة عن التقانة النانوية بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها.