تصنيع عناصر أشباه الموصلات
مقاييس الموسفت (قائمة المقاييس [الإنجليزية]‏) 10 ميكرومتر – 1971 6 ميكرومتر [الإنجليزية] - 1974 3 ميكرومتر – 1977 1.5 ميكرومتر – 1981 1 ميكرومتر – 1984 800 نانومتر – 1987 600 نانومتر – 1990 350 نانومتر – 1993 250 نانومتر – 1996 180 نانومتر [الإنجليزية] - 1999 130 نانومتر [الإنجليزية] - 2001 90 نانومتر [الإنجليزية] - 2003 65 نانومتر [الإنجليزية] - 2005 45 نانومتر [الإنجليزية] - 2007 32 نانومتر [الإنجليزية] - 2009 22 نانومتر [الإنجليزية] - 2012 14 نانومتر [الإنجليزية] - 2014 10 نانومتر [الإنجليزية] - 2016 7 نانومتر [الإنجليزية] - 2018 مستقبلية 5 نانومتر - 2020 3 نانومتر [الإنجليزية] - ~2021
عدد الترانزستورات [الإنجليزية]‏ سيموس العناصر (متعدد البوابات) قانون مور أشباه الموصلات إلكترونيات نانوية
بوابة إلكترونيات

في تصنيع أشباه الموصلات، تحدد خارطة الطريق الدولية للأجهزة والأنظمة الخمسة نانومتر كعقدة تقنية موسفت بعد 7 نانومتر. اعتبارًا من عام 2019، بدأت إلكترونيات سامسونج وشركة تايوان لصناعة أشباه الموصلات المحدودة في إنتاج 5 نانومتر، ^[1][2] وتخطط لبدء الإنتاج الضخم في عام 2020.^[3][4] سوف يكون هناك توجه إلى هكذا دقة لما سوف تحمله من قدرة هائلة وكبيرة في استيعاب أحجام الترانزيستور ضخمة جدا.

الفائدة من دقة التصنيع هو أنها كلما كانت بدقة أقل كلما كان ذلك يعني أن المساحة أصبحت متوفرة من أجل ضخ المزيد من الترانزيستور لزيادة الأداء وخفض استهلاك الطاقة وحرارتها. ويعود ذلك، لأنه كلما أصبح الترانزيستور أصغر ومكدس أكثر بداخل الرقاقة ذات دقة تصنيع أصغر، فإن ذلك لن يتطلب من الالكترونات أن تنتقل لمسافة أبعد أثناء الانتقال بين بعضها البعض, مما يوفر أداء أفضل وطاقة أقل. ستسمح 5 نانو بدمج عدد هائل من الترانزستورات،يصل عددها إلى 30 مليار ترازستور في مساحة دقيقة جدا لا تتعدى حجم ظفر الأصبع. تقدم المعالجات المصنعة بدقة 5 نانومتر قوة في الأداء بنسبة 40 في المئة مقارنة بشرائح 10 نانومتر ، كما أنها توفر الطاقة بنسبة 75 في المئة مع الحفاظ على نفس الأداء.

3   نانومتر (3 نانومتر) هو ما بعد 5 نانومتر. اعتبارًا من 2019^[تحديث] تخطط سامسونج وTSMC لتسويق 3 نانومتر.

هذه بذرة مقالة عن الإلكترونيات أو العاملين في هذا المجال بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها.