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RLDRAM(Reduced Latency DRAM)은 인피니온 테크놀로지스가 개발한 SRAM과 유사한 인터페이스를 갖춘 특수 동적 램(DRAM)의 일종이다. 이는 적절한 비용과 낮은 대기 시간(범용 DRAM 대비)을 요구하는 임베디드 애플리케이션(예: 컴퓨터 네트워킹 장비)을 대상으로 하며, SRAM보다 큰 용량을 제공하는 고대역폭, 준범용, 중간 정도의 낮은 대기 시간(동시대 SRAM 대비)을 가진 메모리이다.^[1] 또한 RLDRAM은 연속적인 읽기 및 쓰기 접근이나 완전히 무작위적인 접근이 발생할 때 동시대의 범용 DRAM보다 더 나은 성능을 보인다.^[2]

1세대 RLDRAM 장치는 1999년에 등장했으며 초기에는 인피니온 테크놀로지스에서만 제작되었다. 이후 마이크론 테크놀로지가 개발 파트너로 참여하여 RLDRAM 장치의 2차 공급원이 되었다. 2세대 RLDRAM II 규격은 2003년 인피니온과 마이크론에 의해 발표되었다. ^[3] 그 후 인피니온은 RLDRAM 개발을 중단하기로 결정했고, RLDRAM II 장치는 마이크론에 의해 도입되었다.^[1] 첫 RLDRAM II 샘플은 같은 해에 등장했다. 2012년 마이크론은 최초의 3세대 RLDRAM 3 장치를 시연했다. ^[4]

각주

↑ ^가 ^나 Jacob, Bruce et al. (2008). Memory Systems: Cache, DRAM, Disk. Morgan Kaufmann Publishers. pp. 494.
↑ RLDRAM Memory: Unparalleled Bandwidth and Low Latency
↑ Infineon and Micron Announce RLDRAM II Specification
↑ Xilinx and Micron demo interoperability of FPGA and RLDRAM 3 memory interface standard

[Jacob_2008-1] 가 ^나 Jacob, Bruce et al. (2008). Memory Systems: Cache, DRAM, Disk. Morgan Kaufmann Publishers. pp. 494.

[2] RLDRAM Memory: Unparalleled Bandwidth and Low Latency

[3] Infineon and Micron Announce RLDRAM II Specification

[4] Xilinx and Micron demo interoperability of FPGA and RLDRAM 3 memory interface standard

[1]

[2]

[3]

[4]

v t e 동적 램 (DRAM)
비동기식	FPM DRAM EDO DRAM
동기식	SDRAM DDR SDRAM DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 DDR6 LPDDR (모바일 DDR) 패스트 사이클 DRAM (FCRAM) eDRAM RLDRAM HBM HBM2 HBM2E HBM3 HBM-PIM HBM3E HBM4 하이브리드 메모리 큐브
그래픽스	VRAM WRAM MDRAM SGRAM GDDR GDDR2 GDDR3 GDDR4 GDDR5 GDDR6 GDDR7
램버스	RDRAM XDR DRAM XDR2 DRAM
메모리 모듈	SIMM DIMM UniDIMM CAMM
목록	DRAM 연표 SDRAM 연표 대역폭 트랜지스터 카운트

RLDRAM

각주

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