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Kryo (CPU)
Kryo是高通設計的或高通基於ARM Cortex-A系列客製的64位元ARMv8相容中央處理單元系列，用於其自家的驍龍產品線，接替32位元ARMv7相容的Krait處理器單元。 Kryo 200Kryo CPU核心的首次發表是2015年9月公佈的驍龍820系統晶片，型號Kryo 200，[1]採用三星電子的14奈米FinFET製程。Kryo 200可用於big.LITTLE結構上，既可充當LITTLE叢集（低時脈、小容量快取），也可充當big叢集（高時脈、大容量快取）。在驍龍820的實作上，採用了兩個雙Kryo 200 CPU核心的叢集，一個由兩顆低時脈（1.36/1.6 GHz）和小容量L2快取（512 KiB）組成的LITTLE叢集，和一個由兩顆高時脈（1.8/2.15 GHz）和大容量L2快取（1 MiB）組成的big叢集，以HMP方式運作。高通最初在驍龍61x系列和驍龍808/810上使用類似的設計（也是高通第一次使用big.LITTLE設計），不過當時由於製程工藝問題導致驍龍61x系列的效能表現不良。Kryo 200的設計方式與Karit的類似，不過支援的功能更多。[2][3]
Kryo 280Kryo 280與驍龍835 SoC一同於2016年11月發表，主打高階行動裝置市場。[4] 與高通根據ARM指令集架構授權而自行設計的ARMv8相容的Kryo不同，Kryo 280是高通基於ARM新的IP核半客制授權協議下修改Cortex-A73的產物。[5]Kryo 280相比Kryo有更好的整數運算效能，更適合一般應用場合，但是相對的，Kryo 280的浮點運算效能則是不如Kryo。搭載Kryo 280的驍龍835採用與一般ARM big.LITTLE的HMP設計，4顆低耗電CPU核心和4顆高效能CPU核心的配置，使用三星電子的10纳米FinFET製程。[6]
Kryo 260Kryo 260與驍龍660 SoC一同於2017年5月發表，主打主流效能市場。驍龍660採用的是三星電子的14奈米LPP製程。[8]
Kryo 385Kryo 385與驍龍845 SoC一同於2017年12月發表。驍龍845是ARM處理器當中首個使用DynamIQ的SoC，採用三星電子的10奈米製程製造。[10]高通稱高效能CPU核心比上一代Kryo 280的效能高25~30%，低耗電CPU核心也有15%的效能提升。
其他
參見參考資料
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